该笔记主要参考《电磁学与电动力学(下册)》(胡秋友 程福臻),以及《电动力学》(郭硕鸿)。
第1章 电磁现象的基本规律#
1.1电磁场的数学描述#
1.1.1 麦克斯韦方程组#
电磁场用电场强度矢量E(r,t)和磁场强度矢量B(r,t)描述,它们满足
∇×E=−∂t∂B ∇⋅E=ε0ρ ∇×B=μ0j+ε0μ0∂t∂E ∇⋅B=0其中,ε0和μ0分别为真空介电常数和真空磁导率;ρ为电荷密度,j为电流密度。
1.1.3 电磁性能方程#
在介质中,通常讲场源分为两个部分:自由电荷ρ0和束缚电荷ρ′,以及它们运动产生的传导电流j0和束缚电流j′,即
ρ=ρ0+ρ′ j=j0+j′两个部分分别满足电荷守恒方程,即
∂t∂ρ0+∇⋅j0=0 ∂t∂ρ′+∇⋅j′=0引入极化强度P与磁化强度M用以分别对束缚电荷和舒服电流进行宏观描述。二者与场源有如下关系:
ρ′=−∇⋅P j′=∇×M+∂t∂P类似于麦克斯韦方程组的其中两项,其中∂P/∂t称之为极化电流,∇⋅P则称为磁化电流。代入麦克斯韦方程组后得
∇⋅D=ρ0 ∇×H=j0+∂t∂D其中
D=ε0E+P H=μ01B−M为辅助矢量,分别成为电位移矢量和磁场强度。对于宏观静止的均匀介质有
D=εE, H=μ1B其中,ε为介电常数,μ是磁导率。引入辅助矢量后,麦克斯韦方程组可被改写为
∇×E=−∂t∂B ∇⋅D=ρ0 ∇×H=j0+∂t∂D ∇⋅B=0
1.1.4 导体中的自由电荷和传导电流#
对各向同性导体内部,传到电流和电场之间满足欧姆定律
j0=σE其中σ为电导率。对于稳恒电场情况,带入电荷守恒方程得(假设ε=ε0)
∂t∂ρ0+σ∇⋅E=∂t∂ρ0+ε0σρ0=0解得
ρ0(r,t)=ρ0(r)e−t/τ, τ=ε0/σ其中,ρ0(r)为初始自由电荷密度分布。上式表面,导体中的自由电荷密度将随时间指数衰减。对稳恒电场情况,平衡时导体内无自由电荷分布,电荷值分布于导体表面。
对于交变电磁场情况将在后续章节中讨论。
第2章 静电场#
2.2 分离变量法#
2.2.1 由泊松方程到拉普拉斯方程#
我们需要求解的方程为电势φ′所满足的泊松方程和对应的定解条件
∇2φ′=−ερ0 (αφ′+β∂n∂φ′)∂V=f(r)方程为线性方程,可将解φ分为两部分,令φ′=φ0+φ,其中φ0满足
∇2φ0=−ερ0无论边界条件为何,φ0均可由电磁学结果给出
φ0(r)=4πε1∭V∣r−r′∣ρ0(r′)dV′φ满足
∇2φ=0其边值条件为
(αφ+β∂n∂φ)∂V=f(r)−(αφ0+β∂n∂φ0)∂V由此可见,φ满足拉普拉斯方程及其边值条件。由于拉普拉斯方程的解唯一性,φ可唯一确定。
2.2.2 直角坐标下的分离变量解#
在直角坐标系下,拉普拉斯方程为:
∂x2∂2φ+∂y2∂2φ+∂z2∂2φ=0假设解可表示为各变量的乘积形式:
φ(x,y,z)=X(x)Y(y)Z(z)代入方程并分离变量后,我们得到三个独立的常微分方程。通常,我们根据边界条件的周期性来选择分离常数的符号。例如,如果在 x 和 y 方向上是周期性边界,我们设:
X1dx2d2X=−kx2,Y1dy2d2Y=−ky2,Z1dz2d2Z=kz2其中分离常数必须满足关系:
−kx2−ky2+kz2=0⟹kz=kx2+ky2各个方向上方程的通解为:
X(x)=Axeikxx+Bxe−ikxx(或 Axcos(kxx)+Bxsin(kxx)) Y(y)=Ayeikyy+Bye−ikyy(或 Aycos(kyy)+Bysin(kyy)) Z(z)=Azekzz+Bze−kzz(或 Azcosh(kzz)+Bzsinh(kzz))其中 kx 和 ky 的值由边界条件决定,它们可能是一系列离散的本征值,我们用 kxn 和 kym 表示。
因此,拉普拉斯方程的通解是这些分离变量解的线性叠加:
φ(x,y,z)=n,m∑Xn(x)Ym(y)Znm(z)其中 Xn(x), Ym(y) 和 Znm(z) 是对应于本征值 kxn 和 kym 的解。系数由边界条件通过傅里叶分析等方法确定。
2.2.3 柱坐标下的分离变量解#
在柱坐标系 (ρ,ϕ,z) 下,拉普拉斯方程为:
- ρ1∂ρ∂(ρ∂ρ∂φ)+ρ21∂ϕ2∂2φ+∂z2∂2φ=0
设解的形式为 φ(ρ,ϕ,z)=R(ρ)Φ(ϕ)Z(z),分离变量后得到三个常微分方程:
dz2d2Z−k2Z=0 dϕ2d2Φ+m2Φ=0 dρ2d2R+ρ1dρdR+(k2−ρ2m2)R=0这里 k2 和 m2 是分离常数。为了保证解在绕 z 轴旋转 2π 后是单值的,m 必须是整数。
上述方程的通解分别为:
Z(z) 的解是指数函数或三角函数,取决于 k 是实数还是虚数:
Z(z)=Aekz+Be−kzΦ(ϕ) 的解是三角函数:
Φ(ϕ)=Ccos(mϕ)+Dsin(mϕ)(或 Ceimϕ+De−imϕ)R(ρ) 的解是 m 阶贝塞尔函数。如果 k 是实数,方程为标准的贝塞尔方程,解为:
R(ρ)=EJm(kρ)+FYm(kρ)其中 Jm 是第一类贝塞尔函数,Ym(或记作 Nm)是第二类贝塞尔函数(诺依曼函数),它在 ρ=0 处是奇异的。
最终,电势的通解是这些特解的线性叠加:
φ(ρ,ϕ,z)=m,k∑(EmkJm(kρ)+FmkYm(kρ))(Cmcos(mϕ)+Dmsin(mϕ))(Akekz+Bke−kz)其中求和是对所有满足边界条件的本征值 m 和 k 进行的。
轴对称情况(与 ϕ 无关) 当问题具有轴对称性时,电势与角 ϕ 无关,这意味着分离常数 m=0。此时方程简化为:
- Φ(ϕ) 是一个常数。
- R(ρ) 的方程变为 0 阶贝塞尔方程,解为: R(ρ)=EJ0(kρ)+FY0(kρ)
- 特别地,如果电势也与 z 无关(k=0),R(ρ) 的方程变为 ρ1dρd(ρdρdR)=0,其解为: φ(ρ)=Alnρ+B 这对应于无限长直导线的电势。
2.2.4 球坐标下的分离变量解#
在球坐标系 (r,θ,ϕ) 下,拉普拉斯方程为:
r21∂r∂(r2∂r∂φ)+r2sinθ1∂θ∂(sinθ∂θ∂φ)+r2sin2θ1∂ϕ2∂2φ=0设解的形式为 φ(r,θ,ϕ)=R(r)P(θ)Φ(ϕ),分离变量后得到:
径向方程:
drd(r2drdR)−l(l+1)R=0角向方程:
sinθ1dθd(sinθdθdP)+(l(l+1)−sin2θm2)P=0 dϕ2d2Φ+m2Φ=0
其中分离常数被写为 l(l+1) 和 m2。为了保证解的物理意义(在极点处有限且在绕轴旋转后单值),l 必须为非负整数,m 为整数且满足 ∣m∣≤l。
这些方程的通解是众所周知的:
R(r) 的解是幂函数:
Rl(r)=Alrl+Blr−(l+1)P(θ) 的解是 连带勒让德函数:
Plm(cosθ)Φ(ϕ) 的解是三角函数:
Φm(ϕ)=Cmcos(mϕ)+Dmsin(mϕ)
通常将两个角向的解合并为 球谐函数 Ylm(θ,ϕ)∝Plm(cosθ)eimϕ。
最终,电势的通解是这些特解的线性叠加:
φ(r,θ,ϕ)=l=0∑∞m=−l∑l(Almrl+rl+1Blm)Ylm(θ,ϕ)系数 Alm 和 Blm 由边界条件确定。
轴对称情况(与 ϕ 无关)
当问题具有关于 z 轴的旋转对称性时,电势与角 ϕ 无关,这意味着只有 m=0 的项有贡献。
此时,连带勒让德函数 Plm(cosθ) 简化为 l 阶勒让德多项式 Pl(cosθ)。
球谐函数 Yl0 正比于 Pl(cosθ)。
因此,轴对称情况下拉普拉斯方程的通解简化为:
φ(r,θ)=l=0∑∞(Alrl+rl+1Bl)Pl(cosθ)这是一个在处理电偶极子、均匀外电场中的导体/介质球等问题时非常有用的形式。
2.3 格林函数法#
2.3.1 格林函数#
定义格林函数G(r,r′)为满足
∇2G(r,r′)=−ε1δ(r−r′)和相应边值条件的函数。
- 若满足第一类边值条件
G(r,r′)∣∂V=0则称之为第一类格林函数。
- 若满足第二类边值条件
∂n∂G(r,r′)∂V=0则称之为第二类格林函数。
其物理意义为:在边界上满足相应边值条件的、位于r′处的单位点电荷在解域内产生的电势。
格林函数的对称性
G(r,r′)=G(r′,r)证明如下。由第二格林公式
∭V(ψ∇2φ−φ∇2ψ)dV=∬∂V(ψ∂n∂φ−φ∂n∂ψ)dS取ψ=G(r,r′),φ=G(r,r′′),则有
左边=∭V[G(r,r′)∇2G(r,r′′)−G(r,r′′)∇2G(r,r′)]dV=−ε1∭V[G(r,r′)δ(r−r′′)−G(r,r′′)δ(r−r′)]dV=−ε1[G(r′′,r′)−G(r′,r′′)]由边值条件可得
右边=∬∂V[G(r,r′)∂n∂G(r,r′′)−G(r,r′′)∂n∂G(r,r′)]dS=0故有G(r′′,r′)=G(r′,r′′), 得证。格林函数的对称性体现了电磁学的互易定理。
2.3.2 格林函数法#
由格林函数的对称性,将2.3.1节中定义的格林函数的r与r′对调,同时将微分算符由∇2改为∇′2,两者分别仅作用在r与r′上,则有
∇′2G(r′,r)=−ε1δ(r′−r) G(r′,r)∣∂V=0 ∂n′∂G(r′,r)∂V=0设φ(r)为待求解的电势,将第二格林公式写为
∭V[G(r′,r)∇′2φ(r′)−φ(r′)∇′2G(r′,r)]dV′=∬∂V[G(r′,r)∂n′∂φ(r′)−φ(r′)∂n′∂G(r′,r)]dS′对两边进行化简可得
左边=ε1∭V[−G(r′,r)ρ0(r′)+φ(r′)δ(r′−r)]dV′=ε1φ(r)−ε1∭VG(r′,r)ρ0(r′)dV′右边可写为
右边=∬∂V[G(r′,r)∂n′∂φ(r′)−φ(r′)∂n′∂G(r′,r)]dS′由此可得
φ(r)=∭VG(r′,r)ρ0(r′)dV′+ε∬∂V[G(r′,r)∂n′∂φ(r′)−φ(r′)∂n′∂G(r′,r)]dS′上式为电势的形式解,为得到实际的电势解,需要将格林函数的边值条件带入其中。对于第一类边值条件,有
φ(r)=∭VG(r′,r)ρ0(r′)dV′−ε∬∂Vφ(r′)∂n′∂G(r′,r)dS′对于第二类边值条件,有
φ(r)=∭VG(r′,r)ρ0(r′)dV′+ε∬∂VG(r′,r)∂n′∂φ(r′)dS′为了使上式的物理意义更加明确,利用格林函数的对称性,将两类边值条件下的电势解分别改写为
φ(r)=∭VG(r,r′)ρ0(r′)dV′−ε∬∂Vφ(r′)∂n′∂G(r,r′)dS′ φ(r)=∭VG(r,r′)ρ0(r′)dV′+ε∬∂VG(r,r′)∂n′∂φ(r′)dS′将r视为待求解处的坐标,r′视为电荷元和边界上的坐标。上式的物理意义为:电势φ(r)等于解域内所有自由电荷在r′处产生的电势或边界上电势或面电荷密度对r处产生的电势之和。
2.4 多极子电场#
2.4.1 小带电体静电场的多极展开#
在自由空间中,给定电荷密度分布在真空中产生的电势为
φ(r)=4πε01∭Rρ(r′)dV′其中R=∣r−r′∣。由R关于位置矢量r和r′的对称性可得
∇f(R)=−∇′f(R)设带电体的空间范围为V′,其尺寸远小于观察点r到带电体的距离R,即r≫r′,则可将1/R展开到二阶:
R1≈r1+i∑xi′(∂xi∂R1)r′=0+21i,j∑xi′xj′(∂xi∂xj∂2R1)r′=0=r1+r′⋅(∇′R1)r′=0+21r′r′:(∇′∇′R1)r′=0=r1−r′⋅(∇r1)+21r′r′:(∇∇r1)=r1+r3r⋅r′+2r53(r⋅r′)2−r2r′2将上式代入电势表达式中,可得
φ(r)≈4πε01[rQ−p⋅∇r1+21D′:∇∇r1]=4πε01[rQ+r3p⋅r+21r5D:rr]其中
Q=∭ρ(r′)dV′ p=∭ρ(r′)r′dV′ D′=∭ρ(r′)r′r′dV′ D=∭ρ(r′)(3r′r′−r′2I)dV′分别称为总电荷(零阶矩)、电偶极矩(一阶矩)、二阶矩和电四极矩。对电势求梯度可得各自产生的电场。
2.5 静电能#
2.5.2 小带电体在外场中的静电能#
设小带电体的空间范围为V′,其尺寸远小于外电场变化的空间尺度,在外电场中,其静电能为
We=∭ρ0(r′)φedV′其中φe为外电场产生的电势。与2.4.1节中的多极展开类似的,对φe展开到二阶可得
We≈Qφe(r0)+p⋅∇φe(r0)+61D:∇∇φe(r0)上式中,第一项为单极矩与外电势的相互作用能,第二项为偶极矩与外电场的相互作用能,第三项为四极矩与外电场梯度的相互作用能。
第3章 静磁场#
3.1 静磁场的基本方程#
3.1.2 磁矢势及其微分方程#
由于静磁场B散度为0,可将其表示为某个矢量场A的旋度,即
B=∇×A其中A为磁矢势。与电势相比,磁矢势具有更高的自由度,上式仅对其旋度做出要求,未对其散度做出规范,可以有多个不同的磁矢势用于描述同一磁场,它们之间可能存在不同的数学形式。一般为使表达式更加简洁,可以人为引入规范条件,使其数学形式唯一,如
∇⋅A=0该规范条件可以极大地简化后续的一些讨论。将以上两式代入基本方程可得
∇2A=−μj0上式为矢量泊松方程,实际是由三个泊松方程组成的方程组。
磁矢势满足的矢量泊松方程的形式与电势满足的泊松方程形式相似,可以通过类比得到在无限均匀线性各向同性磁介质中的磁矢势解
A=4πμ∭∣r−r′∣j0(r′)dV′可以验证,该解满足规范条件
∇⋅A=4πμ∭∇⋅∣r−r′∣j0(r′)dV′=4πμ∭j0(r′)⋅∇∣r−r′∣1dV′=−4πμ∭j0(r′)⋅∇′∣r−r′∣1dV′=−4πμ∭∇′⋅∣r−r′∣j0(r′)dV′ {∇′⋅j0(r′)=0}=−4πμ∬∣r−r′∣j0(r′)⋅dS′=0同时也可以得到毕奥-萨伐尔定理
B=∇×A=4πμ∭∇×∣r−r′∣j0(r′)dV′=4πμ∭∇∣r−r′∣1×j0(r′)dV′=4πμ∭∣r−r′∣3j0(r′)×(r−r′)dV′
3.2 磁标势法#
当空间无传导电流和自由电荷分布时,将静电场与静磁场相比可见
| 静电场 | 静磁场 |
|---|
| 旋度方程 | ∇×E=0 | ∇×H=0 |
| 散度方程 | ∇⋅E=−∇⋅P | ∇⋅H=−μ0∇⋅M |
| 性能方程 | D=εE | B=μH |
| 极化强度 | P=D−ε0E | M=μ01B−H |
| 边值条件 | n×(E2−E1)=0 n⋅(D2−D1)=0 | n×(H2−H1)=0 n⋅(B2−B1)=0 |
二者的数学形式本质是相同的,故类比电势的引入与求解,可引入磁标势φm,将其表示为
H=−∇φm其满足与电势相似的边值条件
φm2=φm1 μ1∂n∂φm1=μ2∂n∂φm2通过与求解电势时类似的定解条件与方法(分离变量法与格林函数法)可以求出磁标势,从而的出静磁场的分布。
3.3 磁偶极子#
3.3.1 小载流体静磁场的多极展开#
与求解电多极子类似地,将1/∣r−r′∣展开到一阶
∣r−r′∣1≈r1+r3r′⋅r代入无限均匀线性各向同性磁介质中的磁矢势解得
A=4πrμ∭j0(r′)dV′+4πr3μr⋅∭r′j0(r′)dV′对第一项,由
j0(r′)=∇′⋅[j0(r′)r′]−∇′⋅j0(r′)r′=∇′⋅[j0(r′)r′]可将体积分转化为面积分,由在边界处法向电流为0可得积分为0。对于第二项,有
r′j0(r′)=∇′⋅[j0(r′)r′r′]−∇′⋅j0(r′)r′r′−j0(r′)r′=∇′⋅[j0(r′)r′r′]−j0(r′)r′而上式第一项可将体积分转化为面积分,由在边界处法向电流为0可得积分为0。上式可由以下方式导出
∇⋅(arr)=∂xi∂(aixjxk)ejek=∂xi∂aixjxkejek+ai∂xi∂xjxkejek+aixj∂xi∂xkejek=∂xi∂aixjxkejek+aiδijxkejek+aixjδikejek=∂xi∂aixjxkejek+ajxkejek+xjakejek=∇⋅arr+ar+ra故有
∭r′j0(r′)dV′=−∭j0(r′)r′dV′代入可得
A=4πr3μr⋅∭21[r′j0(r′)−j0(r′)r′]dV′=4πr3μ21∭[r′×j0(r′)]×rdV′=4πr3μm×r其中
m=21∭r′×j0(r′)为载流导体的磁矩。
3.3.2 小载流体在外场中所受的力与力矩#
下面将计算小载流体在磁场中受到的力与力矩,小载流体所受力为
F=∭j0(r′)×BdV′将磁场在载流体处r0展开到一阶,有
B≈B(r0)+r′⋅∇B∣r=r0代入可得
F=∭j0(r′)×B(r0)+j0×r′⋅∇BdV′与之前类似的,由j0(r′)=∇′⋅[j0(r′)r′],转化为面积分后,可以验证第一项积分为0。故有
F=∭j0(r′)×r′⋅∇BdV′=[∭j0(r′)r′dV′]⋅∇×B=∭21[j0(r′)r′−r′j0(r′)]dV′⋅∇×B=21∭{[r′×j0(r′)]dV′×∇}×B=(m×∇)×B=(∇B)⋅m−m(∇⋅B)=(∇B)⋅m小载流体所受力矩为
M=∭r′×[j0(r′)×B]dV′≈∭[j0(r′)r′⋅B(r0)−j0(r′)⋅r′B(r0)]dV′对于第二项,由
j0(r′)⋅r′=j0(r′)⋅∇′r′⋅r′=21j0(r′)⋅∇′r′2=21∇⋅[j0(r′)r′2]−21∇⋅j0(r′)r′2=21∇⋅[j0(r′)r′2]将体积分转化为面积分,利用边界处电流法向为0可知积分为0。故力矩为
M=21∭[j0(r′)r′−r′j0(r′)]⋅B(r0)dV′=21∭[j0(r′)r′−r′j0(r′)]⋅B(r0)dV′=21∭[r′×j0(r′)]×B(r0)dV′=m×B(r0)
3.4 磁能#
3.4.2 安培力做功#
考察将场源从无穷远处放置到外场中需要做的功。选取随场源一并移动的O′作为场源位置的参考点,用r0表示空间中固定的参考点O到O′的位矢,r′表示O′到某个电流的位矢,参考点O到电流元的位矢为r=r′+r0。安培力做功可表示为
A=∫∞0dr0⋅∭j0(r′)×Be(r0+r′)dV′对于被积项,有
j0×Be=j0×(∇×Ae)=(∇Ae)⋅j0−j0⋅∇Ae=(∇0Ae)⋅j0−j0⋅∇′Ae=(∇0Ae)⋅j0−∇′⋅(j0Ae)其中,∇、∇0和∇′分别表示仅作用在r、r0和r′上的矢量微分算符。推导过程中用到了∇′⋅j0=0。上式右边第二项在积分时可转化为面积分,利用无穷远处的正则条件可得积分值为0。代回有
A=∫∞0dr0⋅∭[∇0Ae(r0+r′)]⋅j0(r′)dV′=∭dV′∫∞0dr0⋅[∇0Ae(r0+r′)]⋅j0(r′)=∭j0(r′)⋅Ae(r′)dV′结果恰为上一小节中磁能的两倍。可将其与静电场情形类比,在外场中放入电荷所需做功也是如此,这是因为在求全空间的能量时虽然系数为1/2,但求和时算了两次,做功时系数为1,但只计入了将场源放入的情况,只算了一次。两者是对能量的不同描述,其结果是等价的。
3.5.3 小载流体在外磁场中的能量#
设小载流体的空间范围为V′,其尺寸远小于外磁场变化的空间尺度,在外磁场中,其磁能为
W=∭j0(r′)⋅AedV与前面类似地,将A在场源位置r0附近作泰勒展开,代入上式得
W≈Ae(r0)⋅∭j0(r′)dV′+∭j0(r′)r′:∇0Ae后续化简过程与3.3.1节类似,不再重复,最终可得
W=m⋅Be